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“硅襯底AlGaN基近紫外大功率LED”項目簡介
發(fā)布時間：
2018-06-13
“硅襯底AlGaN基近紫外大功率LED”項目簡介
項目負責人孫錢，2009年獲得美國耶魯大學博士學位，中科院蘇州納米所研究員、博導、器件部副主任，國家技術發(fā)明一等獎獲得者，國家優(yōu)秀青年科學基金獲得者，中組部首批國家“青年千人計劃”，科技部高新司“第三代半導體材料”項目總體專家組成員。長期從事硅襯底GaN材料生長與LED、激光器、及電力電子器件等制備研究，主持或參與承擔了科技部863計劃課題、工信部電子信息產業(yè)發(fā)展基金項目、自然科學重點基金課題、江蘇省科技成果轉化專項等。本項目擬深入研究低成本硅襯底AlGaN基近紫外大功率LED異質外延生長中的應力調控與缺陷控制、近紫外多量子阱中的應力與缺陷及局域態(tài)對內量子效率的影響、以及垂直結構芯片中的電流擴展與取光效率等關鍵科學問題，通過本項目的實施，可以將硅襯底AlGaN基紫外LED的整套技術通過晶能光電（江西）和江西晶瑞光電快速實現產業(yè)化，幫助合作企業(yè)進一步完善硅襯底LED產品系列，提升企業(yè)產品競爭力和盈利能力，并在三年內實現累計新增3000萬元以上的經濟銷售效益，發(fā)表文章四篇，申請發(fā)明專利3項。
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